IRFH5210TRPBF

1. Pli malaltaj Konduktaj Perdoj
2.Ebligas pli bonan termikan disipadon
3.Pliigita Fidindeco
4. Pliigita Potenca Denso
5.Multi-Vendisto-Kongruo
6.Easier Fabrikado
7.Ekologia pli Amika
8.Pliigita Fidindeco

Fabrika Partnumero: IRFH9310TRPBF
Produktanto/MarkoInternacia Rektifilo (Infineon Technologies)
Parto de Priskribo:MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Senplumbo-Stato/RoHS-Stato:Senplumbo/Konforma al RoHS
Provizokondiĉo:Nova originalo, 12000-komputiloj Disponeblaj.
Ŝipo el: Honkongo
Sendado: DHL/Fedex/TNT/UPS
Produkta Atributo Atributo Valoro Elektu Atributon
Partnumero IRFH9310TRPBF
Produktanto/Marko Internacia Rektifilo (Infineon Technologies)
Stokkvanto 12000 pcs Stoko
Kategorio Diskretaj Semikonduktaĵoj > Transistoroj - FEToj, MOSFEToj - Unuopaĵoj
Priskribo MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Senplumbo-Stato / RoHS-Stato: Senplumbo / RoHS Konforme
Larĝo - Interne -55 °C ~ 150 °C (TJ)
Tensio/Kurrento - Eligo 1 PQFN (5x6)
Toleremo 5250pF @ 15V
Vosto Tipo P-Kanalo
Paŝa angulo MOSFET (Metaloksido)
Shrink Temperature Infineon Technologies
SFP/XFP Tipo ±20V
Fora Kapableco HEXFET®
Pitch - Kablo Surfaca Monto
Aliaj Nomoj Senplumbo / Konforme al RoHS
Aliaj Nomoj 1
Oscilatoro Tipo 8-PowerVDFN
Nombro de 30V de DAC
Minimuma Likva Specifa Graveco -
Pariĝa Orientiĝo 4.6 mOhm @ 21A, 10V
Produktanto Part Numero IRFH9310TRPBFDKR-ND
Longo - Barelo Digi-Reel®
Lampa Koloro 4.5V, 10V
Alta Flanka Tensio - Maksimumo (Bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
Funkcio 58nC @ 4.5V
Bobena Potenco Aktiva
Kanala Kapacito (CS (malŝaltita), KD (malŝaltita)) 3.1W (Ta)
Kartleganto Tipo 2.4V @ 100µA
Karakterizaĵoj kaj Profitoj
Karakterizaĵoj Rezultantaj Profitoj
Malalta RDSon (≤ 4.6mΩ) Pli malaltaj Konduktaj Perdoj
Industrio-Norma PQFN-Pakaĵo Multi-Vendisto-Kongruo
Konforme al RoHS Enhavanta neniun Plumbon, neniun Bromidon kaj neniun Halogenon Pli Amika
rezultoj en
Notu
Formo Kvanto
IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm Bendo kaj Bobeno 4000
Mendebla partnumero Pako Tipo Norma Pako
VDS -30 V
RDS (ŝaltita) max
(@VGS = 10V) 4.6 mΩ
Qg (tipa) 110 nC
RG (tipa) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
Absolutaj Maksimumaj Taksoj
Parametro-Unuoj
VDS Dren-al-Fonto-Tensio
VGS Pordego-al-Fonta Tensio
ID @ TA = 25°C Kontinua Malpleniga Kurento, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C Kontinua Malpleniga Kurento, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C Kontinua Malpleniga Kurento, VGS @ -10V (Silicon Limigita)
ID @ TC = 70°C Kontinua Malpleniga Kurento, VGS @ -10V (Silicon Limigita)
ID @ TC = 25°C Kontinua Malpleniga Kurento, VGS @ -10V (Limigita Pako)
IDM Pulsita Drena Kurento
PD @TA = 25°C Potenco Dissipado
PD @ TA = 70°C Potenco Dissipado
Lineara Derating-Faktoro W/°C
TJ Operating Junction kaj
TSTG Stokado de Temperaturgamo
Ripeta takso;pulslarĝo limigita je max.krucvojo temperaturo.
Komencante TJ = 25°C, L = 1.1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
Pulslarĝo ≤ 400µs;devociklo ≤ 2%.
Kiam muntita sur 1 colo kvadrata kupra tabulo.
Rθ estas mezurita ĉe TJ de proksimume 90 °C.
NUR POR DESEGNA Helpo, ne submetita al produktadtestado.